| 产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRLR3103TRPBF PDF |
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| 产品目录绘图 |
IR Hexfet DPak
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| 标准包装 |
1 |
| 系列 |
HEXFET® |
| FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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| FET 特点 |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss) |
30V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
55A
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| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
19 毫欧 @ 33A,10V
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| Id 时的 Vgs(th)(最大) |
1V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs |
50nC @ 4.5V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds |
1600pF @ 25V
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| 功率 - 最大 |
107W
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| 安装类型 |
表面贴装
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| 封装/外壳 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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| 供应商设备封装 |
D-Pak
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| 包装 |
剪切带 (CT)
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| 其它名称 |
*IRLR3103TRPBF IRLR3103PBFCT
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